6、三相半控桥特性参数MT/DS MD/TS
参数\系列
MT/DS 　　MD/TS
通态平均电流
IT（AV）
A
30
60
100
200
300
输出电流
Io
A
60
100
200
350
500
正反向重复峰值电压
VD（R）RM
V
600～2600
浪涌电流
ITSM
A
350
600
1380
2400
3600
门极触发电流
IGT
mA
≤100
≤150
门极触发电压
VGT
V
≤1.5
≤1.8
通态压降
VTM
V
≤1.5
≤1.6
维持电流
IH
mA
≤80
≤100
断态电压临界上升率
dv/dt
V/us
≥300
工作结温
Tjm
℃
-40～+120
绝缘耐压
VISO
V
≥2500～4000
散热器面积
A
cm2
1600
2800
4500
6000
7200
外型代号
Fig.NO.
M10M11M12
M12M15M16
M12
M13
 
一、符号和术语
二、模块型号说明
三、模块使用说明
四、电力半导体模块的特点
五、模块内部电联结型式代号
六、特性参数
七、固态继电器
八、外型尺寸及代号
九、KBPC.QL.SQL桥式整流器